무엇인가요지도된 칩?그렇다면 그 특징은 무엇입니까?LED 칩 제조는 주로 효과적이고 신뢰성 있는 저저항 접촉 전극을 제조하고, 접촉 가능한 물질 사이의 상대적으로 작은 전압 강하를 충족시키며, 용접 와이어에 압력 패드를 제공하고, 최대한 많은 빛을 방출하는 것입니다.필름 전이 공정은 일반적으로 진공 증착법을 사용합니다.4pa 고진공 하에서 저항 가열이나 전자빔 충격 가열 방식으로 물질을 녹이고, bZX79C18은 금속 증기가 되어 저압 하에서 반도체 물질 표면에 증착된다.

일반적으로 p형 접촉 금속에는 Aube, auzn 및 기타 합금이 사용되며, n측 접촉 금속에는 AuGeNi 합금이 사용되는 경우가 많습니다.전극의 접촉층과 노출된 합금층은 리소그래피 공정의 요구 사항을 효과적으로 충족할 수 있습니다.포토리소그래피 공정 이후에도 일반적으로 H2 또는 N2 보호 하에 수행되는 합금 공정을 거치게 됩니다.합금화 시간과 온도는 일반적으로 반도체 재료의 특성과 합금로의 형태에 따라 결정됩니다.물론 블루, 그린 등 칩 전극 공정이 복잡해지면 부동태막 성장 공정과 플라즈마 식각 공정도 추가해야 한다.

LED 칩 제조 공정에서 광전 성능에 중요한 영향을 미치는 공정은 무엇입니까?

일반적으로, 완료 후LED 에피텍셜 생산, 주요 전기적 특성이 확정되었으며 칩 제조로 ​​인해 핵 특성이 변경되지는 않지만 코팅 및 합금 공정의 부적절한 조건으로 인해 일부 불리한 전기적 매개변수가 발생할 수 있습니다.예를 들어, 합금 온도가 낮거나 높으면 오믹 접촉이 불량해지며, 이는 칩 제조 시 순방향 전압 강하 VF가 높아지는 주된 이유입니다.절단 후 칩 가장자리에 일부 부식 공정이 수행되면 칩의 역누설을 개선하는 데 도움이 됩니다.이는 다이아몬드 연삭 휠 블레이드로 절단한 후 칩 가장자리에 더 많은 잔해물과 분말이 남아 있기 때문입니다.이것이 LED 칩의 PN 접합에 달라붙으면 누전이 발생하고 심지어 파손될 수도 있습니다.또한, 칩 표면의 포토레지스트가 깨끗하게 벗겨지지 않으면 전면용접 및 가용접이 어려워진다.뒷면에 있으면 압력 강하도 커집니다.칩 생산 과정에서 표면을 거칠게 하고 역사다리꼴 구조로 분할해 광량을 높일 수 있다.

LED 칩을 서로 다른 크기로 나누어야 하는 이유는 무엇입니까?LED의 광전 성능에 크기가 미치는 영향은 무엇입니까?

LED 칩 크기는 전력에 따라 저전력 칩, 중간 전력 칩, 고전력 칩으로 나눌 수 있습니다.고객 요구 사항에 따라 단일 튜브 레벨, 디지털 레벨, 도트 매트릭스 레벨 및 장식 조명으로 나눌 수 있습니다.칩의 구체적인 크기는 다양한 칩 제조업체의 실제 생산 수준에 따라 결정되며 특별한 요구 사항은 없습니다.공정이 통과되는 한 칩은 단위 출력을 향상시키고 비용을 절감할 수 있으며 광전 성능은 근본적으로 변하지 않습니다.칩의 사용 전류는 실제로 칩을 통해 흐르는 전류 밀도와 관련이 있습니다.칩이 작으면 사용 전류가 작고, 칩이 크면 사용 전류가 크다.단위 전류 밀도는 기본적으로 동일합니다.고전류에서는 열 방출이 주요 문제라는 점을 고려하면, 발광 효율은 저전류보다 낮습니다.반면에 면적이 증가하면 칩의 본체 저항이 감소하므로 순방향 전압이 감소합니다.

LED 고출력 칩의 영역은 무엇입니까?왜?

Led 고전력 칩백색광의 경우 일반적으로 시장에서 약 40mil입니다.소위 고출력 칩의 사용 전력은 일반적으로 1W 이상의 전력을 의미합니다.양자 효율은 일반적으로 20% 미만이므로 대부분의 전기 에너지가 열 에너지로 변환되므로 고출력 칩의 방열은 매우 중요하며 칩의 면적이 커야 합니다.

GaN 에피택셜 재료를 제조하기 위한 칩 기술 및 처리 장비의 요구 사항은 GaAs 및 InGaAlP와 비교했을 때 어떻게 다른가요?왜?

일반 LED 적색 및 황색 칩과 밝은 쿼드 적색 및 황색 칩의 기판은 일반적으로 n 형 기판으로 만들 수 있는 갭 및 GaAs와 같은 화합물 반도체 재료로 만들어집니다.습식 공정은 리소그래피에 사용되며 다이아몬드 연삭 휠 블레이드는 칩을 절단하는 데 사용됩니다.GaN 소재의 청록색 칩은 사파이어 기판입니다.사파이어 기판은 절연되어 있기 때문에 LED의 한 극으로 사용할 수 없습니다.건식 식각 공정과 일부 패시베이션 공정을 통해 에피택셜 표면에 p/N 전극을 동시에 만드는 것이 필요하다.사파이어는 매우 단단하기 때문에 다이아몬드 숫돌날로 칩을 끌어내기가 어렵습니다.일반적으로 GaAs 소재와 Gap을 이용한 LED에 비해 기술적인 공정이 더 복잡하고 복잡합니다.

'투명전극' 칩의 구조와 특성은 무엇인가요?

소위 투명 전극은 전도성이 있고 투명해야 합니다.이 재료는 현재 액정 생산 공정에 널리 사용되고 있습니다.명칭은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide)로 줄여서 ITO로 부르지만 솔더패드로는 사용할 수 없다.제작 과정에서 칩 표면에 오믹 전극을 만든 다음 표면에 ITO 층을 덮고 ITO 표면에 용접 패드 층을 도금해야 합니다.이런 방식으로 리드에서 나오는 전류는 ITO 층을 통해 각 저항 접촉 전극에 고르게 분포됩니다.동시에 ITO의 굴절률은 공기와 에피택셜 물질의 굴절률 사이에 있기 때문에 광각이 향상되고 광속이 증가할 수 있습니다.

반도체 조명용 칩 기술의 주류는 무엇인가?

반도체 LED 기술의 발전으로 조명 분야에서의 응용이 점점 더 많아지고 있으며, 특히 백색 LED의 출현이 반도체 조명의 핫스팟이 되었습니다.하지만 핵심 칩과 패키징 기술은 개선이 필요하다.칩 측면에서는 고출력, 고휘도 효율, 열저항 감소 방향으로 발전해야 합니다.전력이 증가한다는 것은 칩의 사용 전류가 증가한다는 것을 의미합니다.보다 직접적인 방법은 칩 크기를 늘리는 것입니다.이제 일반적인 고전력 칩은 1mm × 1mm 정도이고 작동 전류는 350mA입니다. 사용 전류의 증가로 인해 열 방출 문제가 두드러진 문제가 되었습니다.이제 이 문제는 기본적으로 칩 플립(Chip Flip) 방법으로 해결됩니다.LED 기술의 발전으로 조명 분야에서의 LED 적용은 전례 없는 기회와 도전에 직면하게 될 것입니다.

플립칩이란 무엇인가요?그 구조는 무엇입니까?장점은 무엇입니까?

청색 LED는 일반적으로 Al2O3 기판을 채택합니다.Al2O3 기판은 경도가 높고 열전도율이 낮습니다.공식적인 구조를 채택하면 한편으로는 정전기 방지 문제가 발생할 수 있습니다.반면에 고전류에서는 열 방출도 큰 문제가 됩니다.동시에 전면전극이 위쪽으로 위치하기 때문에 일부 빛이 차단되어 발광효율이 저하됩니다.고출력 청색 LED는 칩 플립 칩 기술을 통해 기존 패키징 기술보다 더 효과적인 광 출력을 얻을 수 있습니다.

현재 주류 플립 칩 구조 방식은 먼저 공정 용접 전극을 갖춘 대형 청색 LED 칩을 준비하고, 청색 LED 칩보다 약간 큰 실리콘 기판을 준비하고, 금 전도성 층과 리드 아웃 와이어 층을 만드는 것입니다. 초음파 금와이어 볼 솔더 조인트)를 사용하여 공융 용접합니다.그런 다음 고출력 청색 LED 칩과 실리콘 기판을 공융 용접 장비로 용접합니다.

이 구조의 특징은 에피택시층이 실리콘 기판과 직접 접촉하고 있으며, 실리콘 기판의 열저항은 사파이어 기판에 비해 훨씬 낮기 때문에 방열 문제가 잘 해결된다는 점이다.플립 실장 후 사파이어 기판이 위쪽을 향하기 때문에 발광면이 되고, 사파이어는 투명해 발광 문제도 해결된다.위의 내용은 LED 기술에 대한 관련 지식입니다.과학과 기술의 발전으로 미래의 LED 램프는 점점 더 효율적이 될 것이며 수명이 크게 향상되어 우리에게 더 큰 편리함을 가져다 줄 것이라고 믿습니다.